Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability SCIE

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  國際簡稱：IEEE T DEVICE MAT RE

  • 工程技術 大類學科
  • ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 小類學科
  • 3區 中科院分區
  • Q2 JCR分區

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability（IEEE Transactions on Device and Materials Reliability雜志）是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以工程技術-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC為研究方向，OA非開放（Not Open Access）的國際優秀期刊。旨在幫助發展和壯大工程技術及相關學科的各個方面。該期刊接受多種不同類型的文章。本刊出版語言為English，創刊于2001年。自創刊以來，已被SCIE（科學引文索引擴展板）等國內外知名檢索系統收錄。該雜志發表了高質量的論文，重點介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實踐中的理論、研究和應用。

雜志介紹

  • ISSN：1530-4388

    E-ISSN：1558-2574

    出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  • 出版語言：English

    出版地區：UNITED STATES

    出版周期：Quarterly

  • 是否OA：未開放

    是否預警：否

    創刊時間：2001

  • 年發文量：72

    影響因子：2.5

    研究類文章占比：97.22%

    Gold OA文章占比：24.52%

    H-index：63

    出版國人文章占比：0.14

    出版撤稿文章占比：

    開源占比：0.05...

    文章自引率：0.05

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》是一份國際優秀期刊，為工程技術領域的研究人員和從業者提供科學論壇。該期刊涵蓋了工程技術及相關學科的所有方面，包括基礎和應用研究，使讀者能夠獲得來自世界各地的最新、前沿的研究。該期刊歡迎涉及工程技術領域的原創理論、方法、技術和重要應用的稿件，并刊載了涉及工程技術領域的相關欄目：綜述、論著、述評、論著摘要等。所有投稿都有望達到高標準的科學嚴謹性，并為推進該領域的科研知識傳播做出貢獻。該期刊最新CiteScore值為4.8，最新影響因子為2.5，SJR指數為0.436，SNIP指數為1.148。

期刊Ieee Transactions On Device And Materials Reliability近年評價數據趨勢圖

中科院SCI期刊分區大類分區趨勢圖
期刊自引率趨勢圖
期刊CiteScore趨勢圖
期刊影響因子趨勢圖
期刊年發文量趨勢圖

期刊CiteScore指數統計（2024年最新版）

CiteScore指標的應用非常廣泛，以期刊的引用次數為基礎評估期刊的影響力。它可以反映期刊的學術影響力和學術水平，是學術界常用的期刊評價指標之一。

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
4.8 0.436 1.148
學科類別 分區 排名 百分位
大類：Engineering 小類：Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

CiteScore是由Elsevier公司開發的一種用于衡量科學期刊影響力的指標，以期刊的引用次數為基礎評估期刊的影響力。這個指標是由Scopus數據庫支持，以四年為一個時段，連續評估期刊和叢書的引文影響力的。具體來說，CiteScore是計算某期刊連續三年發表的論文在第四年度的篇均引用次數。CiteScore和影響因子（IF）有所不同。例如，在影響因子的計算中，分子是來自所有文章的引用次數，包括編輯述評、讀者來信、更正信息和新聞等非研究性文章，而分母則不包括這些非研究性文章。然而，在CiteScore的計算中，分子和分母都包括這些非研究性文章。因此，如果這些非研究性文章比較多，由于分母較大，相較于影響因子，CiteScore計算出來的分數可能會偏低。此外，CiteScore的引用數據來自Scopus數據庫中的22000多個期刊，比影響因子來自Web of Science數據庫的11000多個期刊多了一倍。

期刊WOS(JCR)分區（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%
學科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%
按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%
學科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

WOS(JCR)分區是由科睿唯安公司提出的一種新的期刊評價指標，分區越靠前一般代表期刊質量越好，發文難度也越高。這種分級體系有助于科研人員快速了解各個期刊的影響力和地位。JCR將所有期刊按照各個學科領域進行分類，然后以影響因子為標準平均分為四個等級：Q1、Q2、Q3和Q4區。這種設計使得科研人員可以更容易地進行跨學科比較。

中科院SCI期刊分區

中科院SCI期刊分區是由中國科學院國家科學圖書館制定的。將所有的期刊按照學科進行分類，以影響因子為標準平均分為四個等級。分區越靠前一般代表期刊質量越好，發文難度也越高。

2023年12月升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
否 否 工程技術 3區
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用
3區 3區

2022年12月升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
否 否 工程技術 3區
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用
3區 3區

2021年12月舊的升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
否 否 工程技術 3區
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用
3區 3區

2021年12月基礎版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
否 否 工程技術 4區
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用
4區 4區

2021年12月升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
否 否 工程技術 3區
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用
3區 3區

2020年12月舊的升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
否 否 工程技術 3區
PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣
3區 4區

投稿提示

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability(中文譯名IEEE Transactions on Device and Materials Reliability雜志)是一本專注于工程技術,工程：電子與電氣領域的國際期刊，致力于為全球ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的研究者提供一個高質量的學術交流平臺。該期刊ISSN：1530-4388，E-ISSN：1558-2574，出版周期Quarterly。在中科院的大類學科分類中，該期刊屬于工程技術范疇，而在小類學科中，它主要涵蓋了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC這一領域。編輯部誠摯邀請廣大工程技術領域的專家學者投稿，內容可以涵蓋工程技術的綜合研究、實踐應用、創新成果等方面。同時，我們也歡迎學者們就相關主題進行簡短的交流和評論，以促進學術界的互動與合作。為了保證期刊的質量，審稿周期預計為 較慢,6-12周 。在此期間，編輯部將對所有投稿進行嚴格的同行評審，以確保發表的文章具有較高的學術價值和實用性。

值得一提的是，Ieee Transactions On Device And Materials Reliability近期并未被列入國際期刊預警名單，這意味著其學術質量和影響力得到了廣泛認可。該期刊為工程技術領域的學者提供了一個優質的學術交流平臺。因此，關注并投稿至Ieee Transactions On Device And Materials Reliability無疑是一個明智的選擇，這將有助于提升您的學術聲譽和研究成果的傳播。

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期刊發文分析

機構發文量統計
機構 發文量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... 23
IMEC 15
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQ... 14
STMICROELECTRONICS 10
TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN 9
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 8
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 8
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 7
GLOBALFOUNDRIES 7
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6
國家 / 地區發文量統計
國家 / 地區 發文量
USA 52
CHINA MAINLAND 51
India 50
Taiwan 35
France 20
Italy 18
Belgium 15
Austria 14
Japan 13
GERMANY (FED REP GER) 12
期刊引用數據次數統計
期刊引用數據 引用次數
IEEE T ELECTRON DEV 167
IEEE T NUCL SCI 116
MICROELECTRON RELIAB 100
IEEE T DEVICE MAT RE 93
IEEE ELECTR DEVICE L 69
APPL PHYS LETT 59
J APPL PHYS 44
IEEE T COMP PACK MAN 24
IEEE J SOLID-ST CIRC 23
IEEE T POWER ELECTR 23
期刊被引用數據次數統計
期刊被引用數據 引用次數
IEEE T ELECTRON DEV 127
IEEE T DEVICE MAT RE 93
MICROELECTRON RELIAB 88
IEEE ACCESS 47
IEEE T NUCL SCI 37
IEEE ELECTR DEVICE L 36
IEICE ELECTRON EXPR 35
IEEE T POWER ELECTR 31
J MATER SCI-MATER EL 31
ELECTRONICS-SWITZ 30
文章引用數據次數統計
文章引用數據 引用次數
A First-Principles Study of the SF6 Decomp... 23
Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its I... 9
Comparative Thermal and Structural Charact... 9
Output-Power Enhancement for Hot Spotted P... 8
Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Tes... 7
Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide... 7
Impacts of Process and Temperature Variati... 6
Comparative Study of Reliability of Ferroe... 6
A Compact and Self-Isolated Dual-Direction... 6
A Review on Hot-Carrier-Induced Degradatio... 6

免責聲明

若用戶需要出版服務，請聯系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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